Реферат на тему: Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды - пример выполненной работы
Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОН И КИ Кафедра электронной техники и технологии РЕФЕРАТ на тему «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ» МИНСК, 2008 Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном напра в лении, а в обратном имеют большое сопротивление. Рис. 1. Принцип работы р-n перех о да: а) диффузионный и дрейфовый токи через переход; б) графики распределения концентраций носителей заряда в p и n областях (Nnn, Npp - концентрации осно в ных носителей, Nnp, Npn - концентрации неосновных носителей); в) диаграммы потенциала p и n областей. С увеличением температуры растёт концентрация неосновных нос и телей заряда и уменьшается высота потенциального барьера. При U AK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через п е реход i диф = i др = I S (T) I пр = I обр I я = I пр - I обр = 0 При прямом смещении р-n - перехода U AK > 0 появляется прямой ток, определяемый осно в ной диффузионной составляющей I пр = i диф – i др >0 При U AK < 0 появляется обратный ток, определяемый дрейфовой с о стовляющей I обр = i др - i диф > 0. Т.к. p-n - переход при обратном смещении закрывается из-за увеличения шир и ны ОПЗ и i диф
